固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

但还有许多其他设计和性能考虑因素。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。在MOSFET关断期间，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。供暖、

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。工业过程控制、基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。还需要散热和足够的气流。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，每个部分包含一个线圈，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。模块化部分和接收器或解调器部分。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。支持隔离以保护系统运行，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，通风和空调 （HVAC） 设备、磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，航空航天和医疗系统。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、